Dioda zener
Dioda zener berbeda dengan dioda penyearah, dioda zener
dirancang untuk beroperasi dengan tegangan muka terbalik (reverse bias) pada
tegangan tembusnya,biasa disebut “break down diode”. Jadi katoda-katoda selalu diberi tegangan yang lebih
positif terhadap anoda dengan mengatur tingkat dopping, pabrik dapat
menghasilkan dioda zener dengan tegangan break down kira-kira dari 2V sampai
200V.
Dalam kondisi forward bias dioda zener akan dibias sebagai berikut: kaki katoda diberi tegangan lebih negatif terhadap anoda atau anoda diberi tegangan lebih positif terhadap katoda seperti gambar berikut.
Dalam kondisi forward bias dioda zener akan dibias sebagai berikut: kaki katoda diberi tegangan lebih negatif terhadap anoda atau anoda diberi tegangan lebih positif terhadap katoda seperti gambar berikut.
Dalam kondisi demikian dioda zener akan
berfungsi sama halnya dioda penyearah dan mulai aktif setelah mencapai tegangan
barier yaitu 0,7V. Disaat kondisi demikian tahanan dioda (Rz) kecil
sekali . Sedangkan konduktansi besar sekali, karena tegangan maju akan menyempitkan
depletion layer (daerah perpindahan muatan) sehingga perlawanannya menjadi
kecil dan mengakibatkan adanya aliran elektron.
Dalam kondisi reverse bias dioda zener kaki katoda
selalu diberi tegangan yang lebih positif terhadap anoda.
Jika tegangan yang dikenakan
mencapai nilai breakdown, pembawa minoritas lapisan pengosongan dipercepat
sehingga mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari orbit
terluar. Elektron yang baru dibebaskan kemudian dapat menambah kecepatan cukup tinggi untuk
membebaskan elektron valensi yang lain. Dengan cara ini kita memperoleh longsoran
elektron bebas. Longsoran terjadi untuk tegangan reverse yang lebih
besar dari 6V atau lebih. Efek zener berbeda-beda bila dioda di-doping banyak,
lapisan pengosongan amat sempit. Oleh karena itu medan listrik pada lapisan pengosongan
amat kuat. Jika kuat medan mencapai kira-kira 300.000 V persentimeter, medan cukup kuat untuk
menarik elektron keluar dari orbit valensi. Penciptaan elektron bebas dengan cara ini
disebut breakdown zener.
Efek zener dominan pada
tegangan breakdown kurang dari 4 V, efek longsoran dominan pada tegangan breakdown yang
lebih besar dari 6 V, dan kedua efek tersebut ada antara 4 dan 6 V.
Pada mulanya orang mengira
bahwa efek zener merupakan satu-satunya mekanisme breakdown dalam dioda. Oleh
karenanya, nama “dioda zener” sangat luas digunakan sebelum efek longsoran ditemukan. Semua
dioda yang dioptimumkan bekerja pada daerah breakdown oleh karenanya tetap disebut
dioda zener. Didaerah
reverse mulai aktif, bila tegangan dioda (negatif) sama dengan tegangan zener dioda,atau
dapat dikatakan
bahwa didalam daerah aktif reverse konduktansi besar sekali dan sebelum aktif konduktansi kecil sekali.
Jika
digambarkan kurva karakteristik dioda zener dalam kondisi forward bias dan
reverse bias adalah
sebagai berikut.
Misalkan, jika UZ = 12 dan IZ = 10 mA,
Selama PZ kurang
daripada rating daya PZ(max), dioda zener tidak akan rusak. Dioda
zener yang ada di pasaran mempunyai rating daya dari 1/4 W sampai lebih dari 50
W .
Lembar data
kerap kali menspesifikasikan arus maksimum dioda zener yang dapat ditangani
tanpa melampaui rating dayanya . Arus maksimum diberi tanda IZM
(lihat Gambar). Hubungan antara IZM dan rating daya adalah :
Jika dioda zener bekerja dalam daerah breakdown,
dengan tambahan tegangan sedikit menghasilkan pertambahan arus yang besar. Ini
menandakan bahwa dioda zener mempunyai impedansi yang kecil. Kita dapat
menghitung impedansi dengan cara :
Lembar data
menspesifikasikan impedansi zener pada arus tes yang sama di gunakan untuk UZ . Impedansi zener pada
arus tes ini diberi tanda ZZT.
Misalnya, 1N3020 mempunyai UZ 10 V dan ZZT
= 7W untuk IZT
= 25 mA. Koefisien suhu TC adalah
perubahan (dalam persen ) tegangan zener per derajad Celcius. Jika UZ =
10 V pada 250 C dan TC
= 0,1%, maka
UZ = 10 V (250C)
UZ = 10,01 (260C)
UZ = 10,02 V (270C)
UZ = 10,03 V (280C)
dan seterusnya .
Koq g lengkap untuk induktor (oscilator? Kaki 5 IFT
BalasHapus